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國內(nèi)專利Micro LED芯片最新進度報告
近期，顯示之家通過企查查了解到，芯元基、鐳昱光電、中國科學院長春光學精密機械與物理研究所、武漢大學等單位均發(fā)布了Micro LED相關(guān)專利，及最 新進展。
鐳昱光電：Microled微顯示芯片及其制造方法
9月8日，鐳昱光電科技(蘇州)有限公司公布了“MicroLED微顯示芯片及其制造方法”的發(fā)明專利，目前處于授權(quán)階段。
本申請公開了MicroLED微顯示芯片及其制造方法，MicroLED微顯示芯片包括驅(qū)動基板、多個LED單元，每一LED單元被單獨驅(qū)動；臺階結(jié)構(gòu)至少使相鄰LED單元的第二摻雜型半導體層彼此斷開且電隔離。
第 一鈍化層覆蓋LED單元，暴露對應(yīng)的第 一觸點，第二開孔暴露對應(yīng)的LED單元的第二摻雜型半導體層；彼此斷開且電隔離的金屬反射罩，覆蓋第 一鈍化層，金屬反射罩與對應(yīng)的LED單元的第二摻雜型半導體層電性連接，金屬反射罩通過第 一開孔與對應(yīng)的第 一觸點電性連接。
本申請通過金屬反射罩來調(diào)整LED發(fā)光角度，降低像素間光學串擾；金屬反射罩連接到第 一觸點和第二摻雜型半導體層，能夠降低LED像素電阻，減小了整體功耗。
中國科學院長春某研究所：一種高光效MicroLED芯片
9月15日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所發(fā)布了“一種高光效MicroLED芯片”，目前處于“申請公布”階段。
本發(fā)明涉及一種高光效Micro LED芯片，屬于Micro LED芯片技術(shù)領(lǐng)域。解決了現(xiàn)有技術(shù)中Micro LED芯片的出光效率低，且散熱效果有待進一步提升的技術(shù)問題。本發(fā)明的Micro LED芯片，包括PN結(jié)、第二電極、第 一電極、介質(zhì)層和透明電極；
其中，PN結(jié)為N個，且均為倒梯形結(jié)構(gòu)，固定在驅(qū)動電路基板的上表面上，且每個PN結(jié)通過一個第二電極與一個驅(qū)動電路基板的電極連接；第 一電極為共電極，通過透明電極與N個PN結(jié)均連接，介質(zhì)層將第 一電極和第二電極隔離。
該Micro LED芯片，通過倒梯形的電極反射，一方面調(diào)控了LED的出光角度，增加了LED的出光效率；另一方面增加了第 一電極的面積，有效提高電流的擴展能力，提高了器件的散熱效果。
武漢大學：一種MicroLED芯片及其制造方法
8月22日，武漢大學公布了“一種MicroLED芯片及其制造方法”，該專利目前處于授權(quán)階段。
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種MicroLED芯片及其制造方法。
本發(fā)明提供的MicroLED芯片的芯片形狀為三角形，芯片結(jié)構(gòu)為薄膜倒裝結(jié)構(gòu)，且包括圖形化雙層金屬電極，相比于常規(guī)芯片結(jié)構(gòu)具有更高的比表面積，且n型電極的分布得到優(yōu)化，能夠有效減少n型電極附近的電流聚集效應(yīng)、降低n型半導體層的有效電阻，能夠明顯改善芯片的熱量累積效應(yīng)。
芯元基：一種Micro LED顯示器件和Micro LED芯片
9月8日，上海芯元基半導體科技有限公司公布“一種MicroLED顯示器件和MicroLED芯片”發(fā)明專利，該專利進入授權(quán)階段。
本實用新型提供了一種MicroLED顯示器件和MicroLED芯片。
其中，MicroLED顯示器件包括MicroLED芯片和CMOS驅(qū)動芯片，MicroLED芯片包括依次堆疊的第 一絕緣層、第 一ITO膜層以及所述MicroLED芯片與CMOS驅(qū)動芯片鍵合后分割出的若干像素點，第 一絕緣層中分布多個P電極金屬柱，CMOS驅(qū)動芯片包括若干正電極金屬層，每一正電極金屬層分別與若干的P電極金屬柱電連接，以使MicroLED芯片與CMOS驅(qū)動芯片鍵合；
若干像素點間隔設(shè)置在第 一ITO膜層上，正電極金屬層與像素點一一對應(yīng)設(shè)置。MicroLED芯片在與CMOS驅(qū)動芯片做像素對準鍵合工藝時，在像素點分割出來之前，先通過多個P電極金屬柱與CMOS驅(qū)動芯片進行無差別的粗對準鍵合，因此，對準精度要求可以降低至200μm，大大降低了像素對準鍵合工藝的制作難度。
