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Micro LED兼顧了OLED與LCD的優(yōu)勢為什么不能量產(chǎn)？
、 Micro LED成本不斷下降作為新型顯示技術(shù)之一，Micro LED兼顧了OLED與LCD的優(yōu)勢，但卻存在難以量產(chǎn)、成本高昂的缺點。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)公布的最 新研究結(jié)果，目前10-14英寸的Micro LED面板，其成本可以達(dá)到6000-10000美元/塊。這意味著，一塊10-14英寸的Micro LED面板，成本價最 高可以達(dá)到人民幣71800元左右。高昂的成本阻礙了Micro LED的發(fā)展，因此Micro LED成本下降打開市場空間是必然的趨勢，不少企業(yè)已經(jīng)在芯片上做文章。
首先，Micro LED使用的是小于100微米的芯片，理論上說，芯片越小物料成本越低，據(jù)預(yù)計，未來四年期間，Micro LED芯片所能達(dá)成的成本降幅，每年至少在20%至25%，所以縮小芯片尺寸是降低成本的第 一個方式；其次是降低材料成本，有的企業(yè)改進Micro led顯示屏所需的材料，尋找更經(jīng)濟、可持續(xù)的替代材料，以降低原材料成本。目前市場上使用的是PCB板居多，成本占比也比較高，為了解決這個問題，如京東方、利亞德等企業(yè)研究玻璃基板等代替PCB板來降低成本。
02 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)和紅光亮度取得突破
Micro LED的最大挑戰(zhàn)之一是良率問題。各家廠商正在全力以赴，試圖解決這一關(guān)鍵問題?，F(xiàn)在，值得期待的是激光轉(zhuǎn)移技術(shù)，它的良率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的印章轉(zhuǎn)移技術(shù)。巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)曾被視為瓶頸，巨量轉(zhuǎn)移的難點在于，如何提升轉(zhuǎn)移良率到99.9999%（俗稱的「六個九」），且每顆芯片的精準(zhǔn)度必須控制在正負(fù)0.5μm以內(nèi)，但在過去兩年里已經(jīng)取得了顯著改善。今年5月，雷曼光電表示巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)問題已解決，Micro LED用于家庭超大屏已沒問題，但是用于AR領(lǐng)域還要進一步突破。
a) 滾輪轉(zhuǎn)印設(shè)備示意圖；b) 轉(zhuǎn)印制程（左到右），器件從供體釋放到轉(zhuǎn)移頭，再被放置到接收芯片上
日前，英國斯特拉思克萊德大學(xué)近期宣布開發(fā)Micro LED新型巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，研究人員表示，透過連續(xù)滾輪轉(zhuǎn)移技術(shù)，可以實現(xiàn)Micro LED的巨量集成，可在一次轉(zhuǎn)印中轉(zhuǎn)移一個320x240像素陣列，相當(dāng)于75000顆以上的Micro LED，相對位置精度達(dá)亞微米級，而且能夠保持像素陣列的幾何結(jié)構(gòu)，像素空間定位誤差與設(shè)計布局的偏差控制1μm以內(nèi)。
2023年10月8日消息，Micro LED技術(shù)大廠上海顯耀顯示科技Jade Bird Display(以下簡稱“JBD”)宣布，其自主研發(fā)的0.13英寸Microled紅光芯片亮度突破100萬尼特大關(guān)，再次刷新業(yè)界紀(jì)錄。據(jù)介紹，本次紅光實現(xiàn)100萬nits亮度，得益于JBD在多項技術(shù)上的重大突破，包括在材料生長技術(shù)、非輻射復(fù)合抑制技術(shù)及光束發(fā)散角控制等方面。
03 新型封裝技術(shù)表現(xiàn)亮眼
MIP成為Micro LED的理想選擇。MIP（Micro LED In Package）是一種新型封裝技術(shù)，其工藝流程為：將Micro LED芯片通過巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)轉(zhuǎn)移到載板上，進行封裝，切割成小封裝體，再將小封裝體分光混光，接著再進行貼片工藝，同時可支持屏體表面覆膜，并完成顯示屏的制作。
MIP具有可混光、高均勻性、無Mura效應(yīng)，無需經(jīng)過高成本的返修，直接進行測試分選，減少點測分選難度等多方面優(yōu)勢。同時，MIP針對大尺寸Micro LED規(guī)?；慨a(chǎn)的兼容度，以及終端顯示屏廠商的接受程度，都有著獨特的優(yōu)勢。在更小間距、更大尺寸的終端顯示應(yīng)用場景，MIP能規(guī)避良率、墨色一致性、均勻度、檢測返修、成本等多方面的核心瓶頸，成為Micro LED顯示屏生產(chǎn)的理想選擇。
·對于LED芯片尺寸的要求，通常情況下，SMD和COB只能封裝雙邊尺寸大于100μm的LED芯片，MIP可封裝的LED芯片尺寸可在60um以下；
·在燈珠尺寸方面，一般情況下，主流的SMD尺寸多是在1010以上，而與之對應(yīng)的MIP目前的主要尺寸都小于0808；
·在顯示層面，MIP的點間距可以做到最小，其次是COB，SMD在點間距方面受到的限制較為明顯；
總體而言，在LED芯片尺寸、電氣連接、對比度、貼裝環(huán)節(jié)、可修復(fù)性、平整度、混燈分bin等方面，MIP均優(yōu)于SMD、COB。由此可見，MIP適用更小的芯片，減小間距和降低成本的空間更大，未來Micro LED的趨勢確定，MIP優(yōu)勢明顯。
04 Micro LED新產(chǎn)品層出不窮
今年利亞德發(fā)布新一代Micro LED 8K（P0.6）超高清顯示屏，使用Micro LED芯片、倒裝技術(shù)、MIP無焊線封裝工藝，實現(xiàn)發(fā)光芯片的巨量轉(zhuǎn)移。
7月19日，利亞德首次展出最 新技術(shù)成果——Micro LED透明屏(P0.6)。采用微米級全倒裝無襯底Micro LED芯片，該款芯片尺寸僅20*40μm，為全倒裝無襯底Micro LED芯片，發(fā)光效率高，發(fā)光角度大，巨量轉(zhuǎn)移良率高。
9月份消息，利亞德P0.9間距Micro LED電影屏(長3.8米，高2米)正式通過DCI權(quán)威認(rèn)證，成為全球首塊影院級Micro LED產(chǎn)品。
10月26日，雷曼光電宣布其Micro LED顯示技術(shù)研發(fā)取得又一次重大突破，攜手沃格光電正式推出全球首款PM驅(qū)動玻璃基Micro LED顯示屏。這款雷曼PM驅(qū)動玻璃基Micro LED顯示屏使用沃格光電推出的TGV玻璃基板和雷曼光電獨有的新型COB封裝專利技術(shù)，工藝更簡化，大幅降低了Micro LED顯示屏制造成本。同時，高性能PM驅(qū)動IC在灰度等級、刷新率、低灰畫質(zhì)、功耗等方面擁有優(yōu)異的性能。采用PM驅(qū)動玻璃基的Micro LED顯示屏極其輕薄、平整度極高、功耗非常低、散熱很快、色彩還原度超高，是兼顧顯示效果與成本的極具性價比的產(chǎn)品。
9月30日，辰顯光電宣布成功點亮全球首款102英寸P0.5(像素間距0.5mm)TFT基Micro LED拼接屏。這款新品采用25微米LED芯片，搭載國內(nèi)首款自主開發(fā)Micro-LED專用驅(qū)動IC，全球首次達(dá)到10bit色深，同時可以實現(xiàn)240 Hz高刷新率以及60微米以內(nèi)的無縫自由拼接。此外，這款拼接屏還同時具備高亮度、高對比度、高色彩飽和度、長壽命等卓越特性。
結(jié)語
市場上普遍認(rèn)為，當(dāng)前Micro LED處于大規(guī)模商用的萌芽期，它的市場爆發(fā)要到2025年后。即使當(dāng)前還難以判斷哪一年Micro LED可以實現(xiàn)大規(guī)模商用，但眾多屏企投入Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈的局面有利于推進這一進程，提供最 佳解決方案。零組件的改善、制成最 佳化匹配、設(shè)備的技術(shù)突破，在量產(chǎn)與應(yīng)用多元化的吸引下，2024年將有更多廠商投入該領(lǐng)域的發(fā)展，在健全供應(yīng)鏈的同時，也進一步優(yōu)化Micro LED的成本架構(gòu)。
由于各個世代的技術(shù)均有對應(yīng)的目標(biāo)市場，未來幾年內(nèi)不太可能出現(xiàn)某個技術(shù)一家獨大的情況。不過可以肯定的是Micro LED就是未來顯示技術(shù)的黃金賽道，提前布局相關(guān)技術(shù)的廠商將持續(xù)受益。
