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四川啟動(dòng)實(shí)施集成電路與新型顯示重大科技專項(xiàng)
近日，四川省科學(xué)技術(shù)廳啟動(dòng)實(shí)施省先進(jìn)材料、裝備制造、電子信息等六大優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域首批3個(gè)重大科技專項(xiàng)——釩鈦稀土重大科技專項(xiàng)、軌道交通重大科技專項(xiàng)和集成電路與新型顯示重大科技專項(xiàng)，推進(jìn)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)、重大創(chuàng)新產(chǎn)品研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化示范。
據(jù)悉，釩鈦稀土重大科技專項(xiàng)圍繞釩鈦、稀土兩大領(lǐng)域，布局9項(xiàng)重大攻關(guān)任務(wù)，著力研發(fā)15個(gè)重大創(chuàng)新產(chǎn)品，突破28項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)；軌道交通重大科技專項(xiàng)圍繞高速鐵路、山地齒軌、重大鐵路三大領(lǐng)域，布局9項(xiàng)重大攻關(guān)任務(wù)，著力研發(fā)21個(gè)重大創(chuàng)新產(chǎn)品，突破13項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)；集成電路與新型顯示重大科技專項(xiàng)圍繞集成電路、新型顯示兩大領(lǐng)域，布局14項(xiàng)重大攻關(guān)任務(wù)，著力研發(fā)15個(gè)重大創(chuàng)新產(chǎn)品，突破36項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)。
其中，集成電路支持方向和重點(diǎn)如下：
嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP研發(fā)。
（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展多次可編程存儲(chǔ)技術(shù)、單次可編程存儲(chǔ)技術(shù)、多晶硅柵電熔絲技術(shù)等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)研究，提高編程速度、擦除速度、數(shù)據(jù)保持時(shí)間等指標(biāo)。研究標(biāo)準(zhǔn)工藝的嵌入式存儲(chǔ)IP設(shè)計(jì)，適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)工藝的IP環(huán)境，減少額外光罩層次或工藝步驟，可實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)入芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)并開(kāi)發(fā)符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)規(guī)級(jí)嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)IP產(chǎn)品，提升其操作溫度、高溫操作壽命、高溫?cái)?shù)據(jù)保持時(shí)間等指標(biāo)。
（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)以上，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專利5項(xiàng)以上，形成產(chǎn)品不少于2個(gè)，針對(duì)汽車(chē)電子芯片的需求，在國(guó)內(nèi)主流工藝平臺(tái)進(jìn)行車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證，技術(shù)成果應(yīng)用于汽車(chē)電子相關(guān)企業(yè)。
（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專項(xiàng)資金比例不低于2：1。
基于PCI/SATA二合一的高速存儲(chǔ)接口COMBO PHY IP核。
（1）研究?jī)?nèi)容。研究開(kāi)發(fā)符合SATA3.0協(xié)議及PCIE2.0協(xié)議的多功能高速存儲(chǔ)接口COMBO PHY IP核，完成IP授權(quán)；形成國(guó)外同類替代產(chǎn)品，支持1.5G/2.5G/5G/6G等節(jié)點(diǎn)高速數(shù)據(jù)收發(fā)，支持PCS子層功能，具備外信號(hào)通訊、低功耗模式切換等功能，符合SATA3.0及PCIE2.0的一致性測(cè)試規(guī)范電氣特性。
（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)以上，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專利4件以上，形成IP授權(quán)不少于5項(xiàng)，技術(shù)成果應(yīng)用于存儲(chǔ)主控芯片和數(shù)據(jù)運(yùn)算相關(guān)企業(yè)。
（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專項(xiàng)資金比例不低于2：1。
四通道射頻多功能芯片研發(fā)。
（1）研究?jī)?nèi)容。研究高精度電磁場(chǎng)協(xié)同仿真技術(shù)，提高仿真精度和設(shè)計(jì)效率；開(kāi)展多通道集成MCM芯片設(shè)計(jì)研究，在實(shí)現(xiàn)多功能、高性能情況下，減小封裝尺寸；研究新型低功耗高線性度放大結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高線性度、降低功耗等關(guān)鍵指標(biāo)；研究高可靠性封裝技術(shù)，提高高溫工作要求下各項(xiàng)指標(biāo)穩(wěn)定性。
（2）考核指標(biāo)。研發(fā)多通道集成MCM芯片，突破關(guān)鍵核心技術(shù)不少于3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專利5件以上，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，技術(shù)成果應(yīng)用于無(wú)線通信相關(guān)企業(yè)，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品供應(yīng)。
（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專項(xiàng)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專項(xiàng)資金比例不低于2：1。
毫米波核心芯片關(guān)鍵技術(shù)研究。
（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展高性能收發(fā)通道芯片和電源管理芯片一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)、寬電壓范圍CMOS電源管理以及多通道電流采樣等技術(shù)研究，提高無(wú)線通信系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的動(dòng)態(tài)適應(yīng)范圍；研究硅基收發(fā)通道高隔離度技術(shù)，減少功能模塊相互干擾；研究高頻段毫米波噪聲抑制大功率輸出技術(shù)，提高靈敏度和可靠性；開(kāi)展毫米波高功率及低噪聲放大技術(shù)研究，提升放大器芯片的飽和輸出功率，增加射頻芯片功率。研制擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的具有電源管理功能的高功率、低噪聲收發(fā)前端芯片。
（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)4項(xiàng)以上，申請(qǐng)核心芯片發(fā)明或授權(quán)專利不少于5件，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，技術(shù)成果應(yīng)用于下一代無(wú)線通信企業(yè)。
（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專項(xiàng)資金比例不低于2：1。
高密度、高效率SiC JBS功率芯片制備。
（1）研究?jī)?nèi)容。針對(duì)新能源充電樁等小型化、高效率電源裝備領(lǐng)域所急需的高頻高壓SiC二極管產(chǎn)品需求，開(kāi)展SiC結(jié)勢(shì)壘二極管器件的大規(guī)模制造技術(shù)研究，突破高壓低導(dǎo)通壓降結(jié)型二極管載流子輸運(yùn)機(jī)理和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化技術(shù)；突破陽(yáng)極接觸、SiC刻蝕、襯底減薄、激光退火歐姆接觸等工藝技術(shù)，具備開(kāi)展SiC JBS器件大規(guī)模生產(chǎn)制造的技術(shù)和能力。從高壓低導(dǎo)通壓降結(jié)勢(shì)壘二極管結(jié)終端設(shè)計(jì)優(yōu)化、關(guān)鍵工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)、器件流片研制與測(cè)試三個(gè)方面開(kāi)展系統(tǒng)研究，解決SiC結(jié)勢(shì)壘二極管器件制造技術(shù)中陰極制備、器件熱管理優(yōu)化、良率提升等關(guān)鍵工藝瓶頸問(wèn)題。研發(fā)高頻高壓SiC JBS二極管及碳化硅二極管器件。
（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)不少于2項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專利6件以上，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，技術(shù)成果應(yīng)用于汽車(chē)電子相關(guān)企業(yè)。
（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專項(xiàng)資金比例不低于2：1。
功率芯片封測(cè)工藝研發(fā)與應(yīng)用。
（1）研究?jī)?nèi)容。研究高功率密度、無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)、低封裝損耗和優(yōu)化散熱等封裝技術(shù)，突破高功率大芯片低損耗技術(shù)和熱管理技術(shù)；研究封裝系統(tǒng)電磁兼容與信號(hào)隔離、多排陣列框架、大電流低熱阻封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)功率器件低信號(hào)延遲、高可靠性、良好傳導(dǎo)、低阻抗大電流能力。研究建立具有全面自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)品成熟度高的功率芯片研發(fā)設(shè)計(jì)、封測(cè)平臺(tái)，開(kāi)發(fā)電流達(dá)300A的汽車(chē)功率芯片封測(cè)模組。
（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)不少于3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專利5件以上，形成產(chǎn)品3個(gè)以上，產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用于汽車(chē)電子相關(guān)企業(yè)。
（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專項(xiàng)資金不超過(guò)300萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專項(xiàng)資金比例不低于2：1。
超高速800G光模塊封裝測(cè)試研究。
（1）研究?jī)?nèi)容。研究高精度貼裝與高集成度混合封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化光學(xué)封裝；開(kāi)發(fā)高精度多維光學(xué)耦合系統(tǒng)，開(kāi)展先進(jìn)耦合算法研究，提高耦合效率；突破光電接口帶寬限制，實(shí)現(xiàn)基于直接調(diào)制方案的低成本單通道200G超高速率數(shù)據(jù)傳輸。研制超高速800G光模塊等系列產(chǎn)品，包括硅光平臺(tái)馬赫·曾德?tīng)栒{(diào)制器/大功率連續(xù)光波激光器，實(shí)現(xiàn)并行多路的共享光源架構(gòu)；研制四通道EML激光器，確保高可靠性氣密封裝架構(gòu)。
（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)不少于3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專利5件以上，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，實(shí)現(xiàn)低功耗、高集成和高速率性能的硅光模塊的推廣與應(yīng)用，技術(shù)成果應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心相關(guān)企業(yè)。
（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專項(xiàng)資金不超過(guò)500萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專項(xiàng)資金比例不低于2：1。
