韓國開發(fā)出功耗降95%的Micro LED芯片封裝材料
韓國電子通訊研究院(ETRI)研究人員開發(fā)出一種新的芯片封裝材料,據(jù)說可將制程功耗降低 95%。報導指出,新材料是封裝領(lǐng)域的核心部分,對先進半導體發(fā)展極為重要,也能使半導體制造更有效率、成本更低。
這種新技術(shù)采用一種名為非導電薄膜(NCF)新型技術(shù),基于環(huán)氧基物質(zhì)(epoxy-based substances)和還原劑(a reducing agent)制成的聚合物薄膜(polymer film),厚度介于 10 到 20 微米間,這種材料具有半導體所需的高性能,也能作為很好的黏合材料。
報導指出,與日本最 好的技術(shù)相比,這項技術(shù)可將功耗降降低 95%,適合用于制造高性能 AI 芯片,如自駕車和資料中心。
這種技術(shù)可在室溫(約攝氏 25 度)進行黏合,不會因溫度升高而產(chǎn)生煙霧。傳統(tǒng)制程則要求每級溫度達到攝氏100 度,從而導致功耗更高、誤差增加,以及因熱膨脹導致可靠性下降等問題。
報導稱,這款技術(shù)適用于所有高階半導體生產(chǎn),包括 Micro LED 制造及小芯片封裝。該團隊透露,目前已經(jīng)聯(lián)系幾間 Micro LED 開發(fā)商來評估該技術(shù),初步測試非常積極,有望三年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化,并成為半導體顯示公司所需低功耗又環(huán)保的解決方案。