客服
日本名城大學(xué)與KAUST共同研發(fā)疊層式全彩Micro LED
外媒報(bào)道，日本名城大學(xué)與沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）共同研發(fā)了像素密度為330PPI的單片疊層全彩RGB氮化鎵銦（GaInN）Micro LED陣列。
據(jù)悉，在Micro LED外延制造階段，研究團(tuán)隊(duì)通過金屬有機(jī)氣相外延(MOVPE)技術(shù)，分兩個階段在GaN基板上生長RGB Micro LED陣列材料。其中，藍(lán)光和綠光層由名城大學(xué)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)生長，最后的紅光階段由KAUST團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)生長，RGB層間由隧道結(jié) (Tunnel Junctions,TJ) 分隔。
LED多重堆疊結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖,圖源：Semiconductor TODAY
對于氮化鎵銦材料的應(yīng)用，研究人員解釋到，對于可見光譜里的紅光效率，氮化鎵銦已取得了新的進(jìn)展，此外，氮化鎵銦LED的發(fā)光效率受Micro LED尺寸縮小的影響較??；在紅光LED結(jié)構(gòu)中的n型GaN層和有源層之間插入藍(lán)光氮化鎵銦超晶格和氮化鎵銦SQW，可提高紅光LED的發(fā)射效率。
在外延制造完成后，該材料被制作成密度為330PPI的RGB 像素（如下圖）。 Micro LED的尺寸為73μm x 20μm，器件臺面尺寸為35μm x 15μm。
Micro LED陣列工藝流程示意圖,圖源：Semiconductor TODAY
經(jīng)研究人員測試，從基板側(cè)收集到的數(shù)據(jù)顯示，在電流密度為50A/cm²下的藍(lán)-綠-紅Micro LED電致發(fā)光(EL)光譜的峰值波長分別為486nm、514nm和604nm（圖 3）。相應(yīng)的半峰全寬(FWHM)為29nm、31nm和52nm，這些數(shù)值與單獨(dú)制造的LED器件數(shù)值相似。
藍(lán)-綠-紅 Micro LED電致發(fā)光(EL)光譜,圖源：Semiconductor TODAY
而在10A/cm²的注入電流下，綠光Micro LED的光輸出功率(LOP)幾乎達(dá)到0.8μW，紅光和藍(lán)光的LOP分別小于0.2μW和0.1μW。
