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三安光電64.69億元，同比下降4.33%
傳統(tǒng)LED業(yè)務(wù)需求低迷，SiC業(yè)務(wù)強(qiáng)勁增長
按業(yè)務(wù)板塊劃分，三安光電收入來源于LED業(yè)務(wù)、集成電路業(yè)務(wù)兩大板塊，，占比分別約為76%、24%。受LED終端市場消費(fèi)需求低迷影響，三安LED芯片面臨降價壓力，營收和盈利能力均承壓。集成電路業(yè)務(wù)方面實(shí)現(xiàn)銷售收入15.22億元，同比增長4.14%；因碳化硅產(chǎn)能的持續(xù)釋放，成本降低，毛利率有所提高，加上砷化鎵射頻和氮化鎵射頻業(yè)務(wù)的推進(jìn)，集成電路整體毛利率增加 7.75 個百分點(diǎn)。其中，主做碳化硅IDM業(yè)務(wù)的子公司湖南三安實(shí)現(xiàn)銷售收入5.82億元，同比增長178.86%；凈利潤為3.32億元，同比顯著增長266.99%。從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%，GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/月。
近期，三安光電公布了2023年半年報，報告期內(nèi)整體營收約64.69億元，同比下降4.33%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.7億元，同比下降 81.76%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤為-5.55億元，總體情況大致與7月份公布的業(yè)績預(yù)告相符。
化合物半導(dǎo)體龍頭押注SiC業(yè)務(wù)
根據(jù)三安光電官方披露，公司主要從事化合物半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，以氮化鎵、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍(lán)寶石等化合物半導(dǎo)體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業(yè)。主要產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)長ED產(chǎn)業(yè)、電力電子、射頻、光通訊、濾波器。
不難發(fā)現(xiàn)，三安光電在第二代與第三代化合物半導(dǎo)體上均有不少布局。其中SiC布局更是大動作不斷，除已投產(chǎn)的湖南三安外，也不乏與國內(nèi)外知名車企及功率器件龍頭的合作：
2022年8月24日，理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地在江蘇蘇州高新區(qū)正式啟動建設(shè)，主要專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅車規(guī)功率模塊的自主研發(fā)及生產(chǎn)。該生產(chǎn)基地由理想汽車與湖南三安半導(dǎo)體共同出資組建的蘇州斯科半導(dǎo)體公司打造，預(yù)計(jì)2022年內(nèi)竣工后進(jìn)入設(shè)備安裝和調(diào)試階段，2023年上半年啟動樣品試制，2024年正式投產(chǎn)后預(yù)計(jì)產(chǎn)能將逐步提升并最終達(dá)到240萬只碳化硅半橋功率模塊的年生產(chǎn)能力。根據(jù)2023半年報披露，蘇州斯科半導(dǎo)體已完成動力設(shè)備安裝、調(diào)試，待產(chǎn)線通線后進(jìn)入試生產(chǎn)。
2023年6月7日，三安光電與意法半導(dǎo)體聯(lián)合宣布，雙方擬出資32億美元(約合人民幣228億元，三安持股51%，意法49%)在重慶合資建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工廠，新的SiC制造廠計(jì)劃于2025年第四季度開始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將于2028年全面落成，規(guī)劃產(chǎn)能為10,000片/周。同時，三安光電將在當(dāng)?shù)鬲?dú)資建立一個8英寸碳化硅襯底工廠作為配套，預(yù)計(jì)投資總額70億元，達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能為48萬片/年，基本滿足合資工廠需求。
擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目井噴，國內(nèi)外企業(yè)加速入局
得益于新能源汽車等行業(yè)快速發(fā)展，碳化硅功率器件迎來發(fā)展空間，國內(nèi)外企業(yè)已經(jīng)紛紛瞄準(zhǔn)碳化硅擴(kuò)產(chǎn)。
至今年8月，全球SiC產(chǎn)業(yè)鏈上下游龍頭宣布較大SiC金額投資，英飛凌、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體、三菱電機(jī)、羅姆、Soitec、安森美等眾多企業(yè)紛紛擴(kuò)產(chǎn)，新導(dǎo)入項(xiàng)目多以6、8英寸為主。其中，wolfspeed與英飛凌均號稱建設(shè)全球最大的8英寸SiC工廠。
國內(nèi)企業(yè)方面，僅碳化硅相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目也達(dá)到7起。其中，中車時代電氣投資111.19億元計(jì)劃建設(shè)中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括在宜興子項(xiàng)目（58.26億元）、株洲子項(xiàng)目（52.93億元），產(chǎn)能均為36萬片/年；長飛先進(jìn)也擬建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目，建設(shè)內(nèi)容包括外延、晶圓制造、封測等產(chǎn)線，建設(shè)完成后將形成6英寸SiC晶圓及外延36萬片/年，功率器件模塊6100萬個/年；比亞迪則計(jì)劃斥資2億元，在深圳市坪山區(qū)比亞迪汽車生產(chǎn)基地建設(shè)SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目，擴(kuò)建后將新增SiC外延片產(chǎn)能6000片/年，總產(chǎn)能達(dá)18000片/年；天岳先進(jìn)上海臨港項(xiàng)目擬通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝，調(diào)整生產(chǎn)那設(shè)備、原輔材料、公輔環(huán)保設(shè)施等方式提高產(chǎn)品質(zhì)量及產(chǎn)量，調(diào)整后6英寸SiC襯底生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大至96萬片/年，產(chǎn)能將擴(kuò)充220%。此外，南砂晶圓、利普斯半導(dǎo)體、中科意創(chuàng)等均發(fā)布擴(kuò)產(chǎn)公告。
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。
據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達(dá)35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來，國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目，全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速，國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。
