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2023 年度國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會2為led精英斬獲殊榮
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時間：2024-06-25 18:18:19
在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)今時代，國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會作為我國科技領(lǐng)域的盛事，彰顯著我國在科技創(chuàng)新方面的卓越成就。2024 年 6 月 24 日，2023 年度國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會在北京人民大會堂盛大舉行，眾多杰出的科研成果和優(yōu)秀的科學(xué)家們在此收獲了屬于他們的榮耀。
2024 年 6 月 24 日，2023 年度國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行。
今年的獎項呈現(xiàn)出豐富多樣的分布，具有諸多顯著的獲獎特點：
國家最高科學(xué)技術(shù)獎授予 2 人，分別是武漢大學(xué)的李德仁院士和清華大學(xué)的薛其坤院士。
國家自然科學(xué)獎共有 49 項，其中一等獎 1 項，二等獎 48 項。
國家技術(shù)發(fā)明獎達 62 項，包含一等獎 8 項，二等獎 54 項。
國家科學(xué)技術(shù)進步獎共計 139 項，其中特等獎 3 項，一等獎 16 項，二等獎 120 項。
此外，中華人民共和國國際科學(xué)技術(shù)合作獎的獲得者有 10 人。
三安集成
榮膺國家科學(xué)技術(shù)進步一等獎
其中，三安光電的全資子公司三安集成與西安電子科技大學(xué)、華為、中興通訊、中國電子科技集團公司第十三研究所等單位攜手完成的“高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項目，榮獲 2023 年度國家科學(xué)技術(shù)進步獎一等獎。
該項目成功攻克了高品質(zhì)氮化鎵（GaN）射頻功放芯片在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面的技術(shù)難題，促使 GaN 器件在 5G 移動基站實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，確保我國基站用 GaN 器件及工藝處于國際領(lǐng)先水平。
三安集成在該項目中承擔(dān)了氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化工作，構(gòu)建了自主工藝技術(shù)平臺。通過與高校、通訊龍頭企業(yè)的協(xié)同合作，攻克了 5G 移動通信基站用寬帶、高效、高線性功率放大器的核心工藝技術(shù)，形成了具備自主知識產(chǎn)權(quán)的氮化鎵功放芯片制造工藝技術(shù)解決方案，并通過了 5G 組件和系統(tǒng)的應(yīng)用驗證，實現(xiàn)了在客戶端的穩(wěn)定批量供貨。
5G 技術(shù)對射頻功放的工作頻率、能效、帶寬和線性度均提出了更為嚴(yán)苛的要求。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基射頻器件具有更出色的高頻特性，被業(yè)界視作目前 5G 基站功放的最優(yōu)解決方案。該項目成果有效滿足了我國 5G 基站對高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國在新一代移動通信技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)國際領(lǐng)先地位奠定了關(guān)鍵基礎(chǔ)，并取得了顯著的經(jīng)濟和社會效益。據(jù)中國信通院白皮書發(fā)布的信息，截至 2023 年 10 月底，國內(nèi)已部署開通 5G 基站累計 321.5 萬個，估算 2023 年 5G 直接帶動經(jīng)濟總產(chǎn)出 1.86 萬億元，間接帶動總產(chǎn)出 4.24 萬億元。
三安集成成立于 2014 年，持續(xù)投入氮化鎵、砷化鎵射頻芯片的制程研發(fā)和制造，在廈門和泉州布局了大規(guī)模射頻芯片產(chǎn)業(yè)鏈。其主營業(yè)務(wù)涵蓋氮化鎵射頻功放代工、砷化鎵射頻功放代工、射頻封測代工和濾波器產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域包括民用基站、智能手機、Wi-Fi 和物聯(lián)網(wǎng)等，在國內(nèi)射頻芯片制造領(lǐng)域占據(jù)重要地位。據(jù)了解，三安集成作為全球通信基站廠商的主要供應(yīng)商之一，依據(jù)公司供應(yīng)的晶圓數(shù)量計算，已占據(jù)全球約 20%的份額。
值得一提的是，此次獲獎已是三安光電第二次榮獲國家科學(xué)技術(shù)進步獎一等獎。2020 年 1 月，三安光電憑借“高光效長壽命半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化”項目，與中國科學(xué)院等共同榮膺 2019 年度國家科學(xué)技術(shù)進步獎一等獎。
杭州士蘭微電子
榮獲國家科學(xué)技術(shù)進步二等獎
另外，杭州士蘭微電子股份有限公司參與的“功率 MOS 與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項目斬獲國家科技進步二等獎。該項目的主要完成單位包括電子科技大學(xué)、上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司、華潤微電子控股有限公司。
該項目突破了功率高壓 MOS 集成耐壓的瓶頸，通過產(chǎn)學(xué)研合作，創(chuàng)建了三類達到國際先進水平的功率半導(dǎo)體制造量產(chǎn)工藝平臺，為全球 200 余家企業(yè)提供了芯片制造服務(wù)，增強了我國功率高端芯片的國際競爭力，推動了中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
士蘭微電子成立于 1997 年，2003 年 3 月在上海證券交易所主板上市，已成長為國內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計與制造（IDM）企業(yè)之一。公司專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計、制造和封裝，其技術(shù)水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項指標(biāo)在國內(nèi)同行中均位居前列。
結(jié)尾
國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會不僅是對過去一年科技創(chuàng)新成果的肯定，更是對未來科技創(chuàng)新的激勵與引領(lǐng)。相信在這些優(yōu)秀成果和杰出科學(xué)家的帶動下，我國的科技事業(yè)將不斷取得新的突破，為實現(xiàn)中華民族偉大復(fù)興的中國夢提供強大的科技支撐。讓我們共同期待更多的科技創(chuàng)新成果涌現(xiàn)，為人類的進步和發(fā)展貢獻中國智慧和力量。
2024 年 6 月 24 日，2023 年度國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行。
今年的獎項呈現(xiàn)出豐富多樣的分布，具有諸多顯著的獲獎特點：
國家最高科學(xué)技術(shù)獎授予 2 人，分別是武漢大學(xué)的李德仁院士和清華大學(xué)的薛其坤院士。
國家自然科學(xué)獎共有 49 項，其中一等獎 1 項，二等獎 48 項。
國家技術(shù)發(fā)明獎達 62 項，包含一等獎 8 項，二等獎 54 項。
國家科學(xué)技術(shù)進步獎共計 139 項，其中特等獎 3 項，一等獎 16 項，二等獎 120 項。
此外，中華人民共和國國際科學(xué)技術(shù)合作獎的獲得者有 10 人。
三安集成
榮膺國家科學(xué)技術(shù)進步一等獎
其中，三安光電的全資子公司三安集成與西安電子科技大學(xué)、華為、中興通訊、中國電子科技集團公司第十三研究所等單位攜手完成的“高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)及在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項目，榮獲 2023 年度國家科學(xué)技術(shù)進步獎一等獎。
該項目成功攻克了高品質(zhì)氮化鎵（GaN）射頻功放芯片在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面的技術(shù)難題，促使 GaN 器件在 5G 移動基站實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用，確保我國基站用 GaN 器件及工藝處于國際領(lǐng)先水平。
三安集成在該項目中承擔(dān)了氮化鎵功率放大器關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化工作，構(gòu)建了自主工藝技術(shù)平臺。通過與高校、通訊龍頭企業(yè)的協(xié)同合作，攻克了 5G 移動通信基站用寬帶、高效、高線性功率放大器的核心工藝技術(shù)，形成了具備自主知識產(chǎn)權(quán)的氮化鎵功放芯片制造工藝技術(shù)解決方案，并通過了 5G 組件和系統(tǒng)的應(yīng)用驗證，實現(xiàn)了在客戶端的穩(wěn)定批量供貨。
5G 技術(shù)對射頻功放的工作頻率、能效、帶寬和線性度均提出了更為嚴(yán)苛的要求。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基射頻器件具有更出色的高頻特性，被業(yè)界視作目前 5G 基站功放的最優(yōu)解決方案。該項目成果有效滿足了我國 5G 基站對高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國在新一代移動通信技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)國際領(lǐng)先地位奠定了關(guān)鍵基礎(chǔ)，并取得了顯著的經(jīng)濟和社會效益。據(jù)中國信通院白皮書發(fā)布的信息，截至 2023 年 10 月底，國內(nèi)已部署開通 5G 基站累計 321.5 萬個，估算 2023 年 5G 直接帶動經(jīng)濟總產(chǎn)出 1.86 萬億元，間接帶動總產(chǎn)出 4.24 萬億元。
三安集成成立于 2014 年，持續(xù)投入氮化鎵、砷化鎵射頻芯片的制程研發(fā)和制造，在廈門和泉州布局了大規(guī)模射頻芯片產(chǎn)業(yè)鏈。其主營業(yè)務(wù)涵蓋氮化鎵射頻功放代工、砷化鎵射頻功放代工、射頻封測代工和濾波器產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域包括民用基站、智能手機、Wi-Fi 和物聯(lián)網(wǎng)等，在國內(nèi)射頻芯片制造領(lǐng)域占據(jù)重要地位。據(jù)了解，三安集成作為全球通信基站廠商的主要供應(yīng)商之一，依據(jù)公司供應(yīng)的晶圓數(shù)量計算，已占據(jù)全球約 20%的份額。
值得一提的是，此次獲獎已是三安光電第二次榮獲國家科學(xué)技術(shù)進步獎一等獎。2020 年 1 月，三安光電憑借“高光效長壽命半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化”項目，與中國科學(xué)院等共同榮膺 2019 年度國家科學(xué)技術(shù)進步獎一等獎。
杭州士蘭微電子
榮獲國家科學(xué)技術(shù)進步二等獎
另外，杭州士蘭微電子股份有限公司參與的“功率 MOS 與高壓集成芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項目斬獲國家科技進步二等獎。該項目的主要完成單位包括電子科技大學(xué)、上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司、華潤微電子控股有限公司。
該項目突破了功率高壓 MOS 集成耐壓的瓶頸，通過產(chǎn)學(xué)研合作，創(chuàng)建了三類達到國際先進水平的功率半導(dǎo)體制造量產(chǎn)工藝平臺，為全球 200 余家企業(yè)提供了芯片制造服務(wù)，增強了我國功率高端芯片的國際競爭力，推動了中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
士蘭微電子成立于 1997 年，2003 年 3 月在上海證券交易所主板上市，已成長為國內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計與制造（IDM）企業(yè)之一。公司專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計、制造和封裝，其技術(shù)水平、營業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項指標(biāo)在國內(nèi)同行中均位居前列。
結(jié)尾
國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會不僅是對過去一年科技創(chuàng)新成果的肯定，更是對未來科技創(chuàng)新的激勵與引領(lǐng)。相信在這些優(yōu)秀成果和杰出科學(xué)家的帶動下，我國的科技事業(yè)將不斷取得新的突破，為實現(xiàn)中華民族偉大復(fù)興的中國夢提供強大的科技支撐。讓我們共同期待更多的科技創(chuàng)新成果涌現(xiàn)，為人類的進步和發(fā)展貢獻中國智慧和力量。
